>> Trung tâm Vật lý tính toán

Hoạt động

Seminar

2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | >

Seminar Vật lý lý thuyết và Vật lý tính toán:
Tên báo cáo"Empirical tight-binding method for modeling SiGe nanocrystals in the matrix of SiO2 and calculations of electronic and optical properties of Si/Ge and PbSe quantum dots"
Người trình bàyAlex Belolipetskiy and Ivan Avdeev
Cơ quanViện Ioffe, St. Petersburg, Liên bang Nga
NgàyThứ Ba, 09-04-2019
Giờ10:00 AM
Địa điểmPhòng họp tầng 6, nhà 2H, 18 Hoàng Quốc Việt, Hà Nội
Tóm tắtThe first part of the talk will be a presentation of our recent development of tight binding model for modeling Si/Ge nanocrystal embedded in SiO2 matrix. In the second part, we will talk about analysis of electron and hole states in real/reciprocal space and details of optical properties calculations. We will also discuss our recent activity regarding fine structure of excitonic states in PbSe quantum dots.
Người chủ trìNguyễn Huy Việt